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MARIFY3357(S58)
本芯片采用硅外延工藝制造,具有高功率增益放大、寬帶以及低噪聲、低漏電流、小結電容特性,較大的動態(tài)范圍,理想的電流線性;
主要應用于超高頻微波、高頻寬帶低噪聲放大器中,如CATV視頻放大器、無線收發(fā)模塊、各類遠距離遙控器、安防報警器、模擬數(shù)字無繩電話等產(chǎn)品中,適合中功率高頻信號放大;
集電極-發(fā)射極擊穿電壓:BVCEO=15V,最大集電極電流:ICM=100mA,集電極耗散功率:PC=1000mW,特征頻率:fT=8.5GHz;
封裝形式:SOT89,本體印字(Marking):S58。
本芯片采用硅外延工藝制造,具有高功率增益放大、寬帶以及低噪聲、低漏電流、小結電容特性,較大的動態(tài)范圍,理想的電流線性; 主要應用于超高頻微波、高頻寬帶低噪聲放大器中,如CATV視頻放大器、無線收發(fā)模塊、各類遠距離遙控器、安防報警器、模擬數(shù)字無繩電話等產(chǎn)品中,適合中功率高頻信號放大; 集電極-發(fā)射極擊穿電壓:BVCEO=15V,最大集電極電流:ICM=100mA,集電極耗散功率:PC=1000mW,特征頻率:fT=8.5GHz; 封裝形式:SOT89,本體印字(Marking):S58。
具有高功率增益放大以及低噪聲特性,大動態(tài)范圍,理想的電流線性; 主要應用于超高頻微波無線射頻放大、VHF、UHF 和CATV 高頻寬帶低噪聲放大器、無線遙控 器、射頻模塊、雷達感應開關等電路中; 集電極-發(fā)射極擊穿電壓:BVCEO≥12V,最大集電極電流:IC≥100mA,集電極功率:PC≥200mW (SOT-323 封裝PC≥150mW),特征頻率:fT=7.5GHz; 封裝形式:SC59、SOT23 或者SOT323,本體印字:R25; 180-250
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